Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가

2008.08.12 15:39

김 선 미 조회 수:24873 추천:421

안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해  tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도  상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도  소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75425
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19161
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56479
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67556
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89363
708 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 320
707 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 320
706 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 324
705 plasma modeling 관련 질문 [1] 329
704 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 338
703 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 350
702 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 354
701 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 356
700 plasma 공정 중 색변화 [1] 358
699 plasma striation 관련 문의 [1] file 363
698 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 367
697 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 369
696 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 387
695 self bias [1] 389
694 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 391
693 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 392
692 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 395
691 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 399
690 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 406
689 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 406
쓰기
태그

Boards

XE Login