Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.
2023.06.26 10:34
안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.
다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.
METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.
이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..
도움 부탁드립니다. 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] | 75752 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19439 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56665 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67999 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90227 |
717 | ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] | 306 |
716 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 307 |
715 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 314 |
714 | Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 | 329 |
713 | Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] | 345 |
712 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 352 |
711 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 354 |
710 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 355 |
709 |
입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate
![]() | 363 |
708 |
안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다.
[1] ![]() | 371 |
707 |
염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다.
[1] ![]() | 373 |
706 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 375 |
705 |
plasma striation 관련 문의
[1] ![]() | 389 |
704 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 390 |
703 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 392 |
702 | H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] | 395 |
701 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 395 |
700 | N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] | 399 |
699 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 404 |
698 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 405 |
관련 식각 및 표면 반응에 대해서는 성균관대학교 염근영교수님과 전북대학교 임연호 교수님이 전문이십니다. 보다 좋은 정보를 얻으실 수 있을 것으로 기대합니다. 아울러 염근영교수님의 역저 "플라즈마 식가기술 - 미래컴"를 참고 도서로 추천합니다. 감사합니다.