COMSOL을 사용하여 CF4/Ar 플라즈마를 연구하던 도중 관련 논문을 읽었는데 다음과 같은 내용이 있었습니다. 

 

논문 제목: 유체시뮬레이션을 통한 Ar/CF4 자화유도결합 플라즈마의 특성 연구

"SiO2와 달리 Si 식각과정에서 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 표면에 탄소 또는 불화탄소 계열 의 화학종들이 누적되려는 경향이 있다. 이는 식각 선택도를 얻 는 중요한 채널이 된다. 선택도를 증가시키기 위해서는 플라즈마 체적내의 불소 농도를 탄소 또는 불화탄소 계열의 중성 입자에 비해 감소시킬 필요가 있다[20]. 따라서 자화유도결합 플라즈마 는 탄소의 증가율이 불소의 증가율보다 높아 실리콘 식각 시 선 택도를 높일 수 있을 것으로 보여 진다." 

 

위 내용에서 궁금한점이 3가지 있습니다. 

1. SiO2와 달리 Si 식각과정에서는 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 라고 되어있는데 SiO2 식각에는 C가 참여할 수 있나요??

2. Si 표면에 탄소 및 불화탄소 화학종이 누적되면 식각 선택도가 중요한 이유가 무엇인가요?

3. 제가 이해한 내용은 "Si/SiO2 시각 시 Si 표면에는 탄소와 불화탄소 화학종에 의해 표면이 보호되어 F의 식각으로부터 보호, SiO2는 F에 의해 식각되어 선택비가 좋아진다" 라고 이해했는데 제가 이해한 내용이 맞나요??

 

시간 내어 읽어주셔서 감사합니다. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78015
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20833
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69249
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93625
777 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [Impedance matching 이해] [1] 188
776 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 193
775 Microwave & RF Plasma [플라즈마 주파수와 rate constant] [1] 209
774 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 211
773 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 214
772 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [Bactericidal 이해] [2] 218
771 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 224
770 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 231
769 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 231
768 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 244
767 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 245
766 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 267
» CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 267
764 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 268
763 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정] [2] file 275
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 276
761 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 278
760 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 280
759 대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해] [1] 288
758 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 314

Boards


XE Login