안녕하세요 

현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다. 

플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다. 

공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?

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