안녕하세요. PECVD 공정 엔지니어로서 RPSC의 Cleaning 거동을 이해하고자 질문드립니다.

 

우선 CCP 형태 Chamber에서 Chamber 내 NF3가 공급되어 SiNx가 식각되는 Cleaning 공정을 가정하겠습니다.

Chamber Throttle Valve Position이 고정되고 Pump는 100% 성능으로 작동할 때, NF3를 공급하면 Pressure 곡선은 아래와 같습니다.

Chamber 내에선 SiNx와 NF3가 반응하여 SiF4가 생성됩니다.

제목 없음.png

Throttle Valve, Pump 상태는 동일하므로 배기되는 Output Volume Flowrate는 항상 같다고 가정했습니다.

Chamber 내 압력이 변동하되 Chamber Volume은 일정하므로, Chamber 내 Density는 Pressure에 비례할 것입니다. 즉, Fluid Density는 상기 곡선 상황에서 변동하는 Parameter입니다.

 

이때, 궁금한 것은 Residence Time 추이가 어떻게 변할지 입니다.

Residence Time은 Chamnber 내 Fluid가 평균적으로 얼마나 오래 머무르고 가는지 의미합니다.

 

추론① 배기되는 Output Volume Flowrate, Chamber Volume이 일정하므로 Residence Time은 항상 동일하다.

 

추론② Input Volume Flowrate가 증가하더라도, 추론①대로 Residence Time은 항상 일정하다. → 이 경우, Input Volume Flowrate가 증가했음에도 Residence Time이 동일한 건 직관적으로 이상하지만, Density(혹은 Pressure)가 증가하므로 적절한 추론일 것이다.

 

추론③ Chamber 내 Fluid Density와 Throttle Valve를 통해 배기되는 Fluid Density는 동일하다.

 

상시 세 가지 추론이 적절한지 궁금합니다. 물론 정밀한 수준으로 정확한지를 따지기보단, 큰 개념으로 공정을 바라볼 때 위의 추론처럼 이해하는 것이 적절한지가 궁금합니다.

 

항상 질문에 친절하게 답해주셔서 감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77755
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20729
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57648
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69148
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93409
697 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 566
696 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 567
695 self bias [1] 567
694 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 573
693 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 580
692 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 581
691 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 582
690 핵융합 질문 [1] 587
689 활성이온 측정 방법 [1] 589
688 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 593
687 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 595
686 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 607
» Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 609
684 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 611
683 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 617
682 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 619
681 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 620
680 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 621
679 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 626
678 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 627

Boards


XE Login