늦었지만 친절한 답변 감사드립니다.


한가지 더 문제되는 것이 있는데요, 최근 고객사 설비에서 PM 초기의 RF VDC 값이 높은 것 때문에 공정 불량이 발생하고 있습니다.

VDC 값은 양 극 사이(여기서는 STG HEATER 와 SHOWERHEAD 가 되겠지요)의 DC BIAS 크기와 관련이 있고 이것은 

CH 의 CAP 값에 반비례하는 것으로 알고 있는데요(틀렸다면 지적 부탁드립니다).... 그렇다면 cap 값이 커질수록 vdc 값이 작아지므로 결국 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값은 작아진다... 이렇게 결론을 내릴 수 있을 것 같습니다.


그런데 여기서 전극 사이의 거리는 막질이 아무리 쌓인다 한들 수 micro 수준이므로 의미가 없다고 보면 vdc 값을 줄일 수 있는 방법은 ㅗheater 와 showerhead 사이의 유전율을 크게 하는 것 밖에 없다고 생각이 듭니다.


여기서 문의드립니다.


1) 위에 제가 쓴 내용이 맞는지요? 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값이 작아지는 건가요?


2) 유전율을 크게 할 수 있는 방법에는 어떤 것들이 있을까요? 플라즈마 gas 의 양, 압력 등등 precoating 조건을 바꿔서 유전율을 크게 할 수 있을까요?


3) 그 외 vdc 값에 영향을 주는 변수들은 어떤 것들이 있을까요?


다시 한 번 자세한 답변 부탁드립니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5631
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16933
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64231
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84420
533 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 807
532 고진공 만드는방법. [1] 814
531 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 819
530 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 820
529 공정플라즈마 [1] 822
528 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 827
» 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 830
526 wafer bias [1] 830
525 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 835
524 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 835
523 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 837
522 RF 전압과 압력의 영향? [1] 840
521 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 841
520 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 843
519 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 853
518 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 854
517 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 856
516 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 856
515 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 858
514 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 870

Boards


XE Login