Etch Plasma 식각 test 관련 문의

2021.12.13 16:57

벅바 조회 수:3788

안녕하세요.

 

플라즈마 식각 중량변화 테스트를 O2가스와 NF3,AR(3:1) 비중으로 60분동안 200W전력 조건으로 

 

제품은 불소고무 O-RING 입니다.

 

할 수 있는곳이 있을까요?? 

 

도움 부탁드리겠습니다..

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75028
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18872
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56344
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66873
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88355
399 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5779
398 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5594
397 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5530
396 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5400
395 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5329
394 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5312
393 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5146
392 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 5027
391 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5007
390 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4710
389 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4709
388 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4697
387 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4680
386 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4323
385 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4321
384 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4032
383 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3967
382 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3829
» Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3788
380 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3762

Boards


XE Login