Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다.

2022.12.07 14:13

반도체좋아 조회 수:28713

안녕하세요.

 

Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.

다름이 아니라, 

   최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는

   내용의 기사를 봤습니다.

 

질문은

   1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?

   2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?

   3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?

 

고수님들의 답변 부탁드립니다.

가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
467 자료 요청드립니다. [1] 6205
466 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6170
465 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6066
464 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5988
463 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5923
462 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5894
461 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5821
460 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5802
459 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5673
458 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5509
457 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5449
456 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5254
455 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5142
454 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5058
453 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4888
452 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4793
451 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4474
450 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4316
449 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4263
448 플라즈마 색 관찰 [1] 4245
쓰기
태그

Boards

XE Login