안녕하세요. 경희대학교에서 플라즈마에 대한 학부연구를 진행하고 있는 박준우라고 합니다.

플라즈마의 전자 온도에 대한 간단한 질문이 있어 QNA 드립니다.

 

플라즈마 내의 전자가 물질(substrate)과 충돌했을 때, 맞은 substrate의 전자도 온도가 올라가는 것으로 알고 있습니다.

이 때 일반적으로 진공에 떠돌아 다니는 전자의 온도와, substrate의 전자 온도의 정의를 똑같이 할 수가 없다고 하는데, 정확히 어떻게 정의가 달라지는지 궁금하여 질문 드립니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
249 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1174
248 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1171
247 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1167
246 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1162
245 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
244 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1156
243 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1156
242 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1156
241 공정플라즈마 [1] 1145
240 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
239 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
238 자기 거울에 관하여 1138
237 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1132
236 wafer bias [1] 1129
235 전자 온도 구하기 [1] file 1129
234 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
233 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1117
232 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1116
231 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1112
230 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1112

Boards


XE Login