Sheath floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점

2008.10.26 11:30

김한성 조회 수:22487 추천:420

안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.

플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.

플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로

입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을

마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,

전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?

그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할

수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?

답변 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] 73031
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17616
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55516
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86027
646 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 23429
645 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23386
644 self Bias voltage 23299
643 plasma와 arc의 차이는? 23274
642 Arcing 23237
641 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23144
640 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23135
639 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23077
638 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23070
637 DC glow discharge 22942
636 No. of antenna coil turns for ICP 22845
635 고온플라즈마와 저온플라즈마 22806
634 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 22791
633 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22770
632 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 22693
» floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22487
630 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22476
629 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22447
628 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22408
627 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22380

Boards


XE Login