산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성은 매우 심각한 문제입니다.
특히 etching이나 deposition plasma 내에서는 etching된 후에 입자들이 빠져 나가지 못한 경우, 대개의 경우에는 표면 전하에 의한 영향이 크지 않을 까 생각합니다. 대개 이들 particle 이 형성될 때에는 전기적으로 중성을 띄고 있으나 하전 상태인 플라즈마 내에서는 쉽게 전자의 흡착에 의한 음전하를 띄게 되면서 벽등에 흡착되게됩니다. 이들은 낮은 에너지에 의해서 흡착력은 약하며, 혹은 벽을 cleaning할 때 제대로 떨어져 나가지 않고 남아 있다가 공정을 다시 시작 할 때 공간내로 나오게 되며 제조 수율을 떨어뜨리는 가장 큰 요인으로 작용하게 됩니다. 결국 이는 target 물질, 식각 대상 물질, depo 물질들과 아울러 반응기의 구조에 따르게 됩니다.

Sputter에서는 target에 입자들이 플라즈마 이온으로부터 충돌에 의한 momentum을 받아 튀어 나오게 됩니다. 하지만 일부는 들어오는 이온과 충돌 혹은 target 주변의 중성 개스 입자들과의 충돌로 튀어나오던 target입자들의 행로가 바뀌게 되기도 합니다. 이는 운전 압력이 낮으면 줄어들 수 있기도 합니다. 이들이 부분적으로 쌓이면 이때 nodule이 형성 될 수 있을 것입니다. 아울러 sputtering은 입사 이온의 에너지, 입사 각이 중요한 변수 입니다. 이들 조건은 target layer가 sputter에 의해서 벗겨져 나가면서 항상 일정할 수는 없습니다. 따라서 미세하나마 부분적으로 sputtering yield가 달라질 수 있고 이 또한 nodule의 원인을 제공 할 수 있을 것 같습니다. 이를 조절 하기 위해서는 target의 orientation을 바꿀 수가 있다면 이를 조절 함으로서 해결이 가능 할 것도 같습니다.