안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76721
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57165
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
428 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3507
427 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3443
426 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3443
425 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3411
424 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3407
423 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3382
422 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3323
421 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3322
420 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3296
419 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3271
418 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3202
417 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3191
416 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3178
415 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3165
414 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
413 CVD 공정에서의 self bias [1] 3095
412 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
411 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2967
410 Plasma etcher particle 원인 [1] 2963
409 RF matcher와 particle 관계 [2] 2915

Boards


XE Login