안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하면서 생긴 궁금증으로 인해 질문드립니다.
아래 첨부된 그림파일과 같은 회로에서 임피던스 매칭 회로의 구동원리는 어떻게 되는지요?
임피던스 매처에서 만약 X<0인 capacitive 인 경우 , X>0인 inductive인 경우 각각 임피던스 매칭회로의 변화는 어떻게 되는지 궁금합니다.
항상 감사드립니다.
안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하면서 생긴 궁금증으로 인해 질문드립니다.
아래 첨부된 그림파일과 같은 회로에서 임피던스 매칭 회로의 구동원리는 어떻게 되는지요?
임피던스 매처에서 만약 X<0인 capacitive 인 경우 , X>0인 inductive인 경우 각각 임피던스 매칭회로의 변화는 어떻게 되는지 궁금합니다.
항상 감사드립니다.
RF 전원을 안테나 (ICP) 혹은 전극 (CCP/RF bias)에 인가시키기 위해서는 reactance term을 소거하여야 전원으로 부터 전달되는 전자기파를 온전히 안테나 및 전극으로 보낼 수가 있고, 이를 impedance matching이라 합니다. 소거 방법은 reactance의 위상차를 이용하는 방법으로 inductive reactance 와 capative reactace 간의 180도 위상차를 활용하면 상호 직렬연결시키면 소거를 시킬 수가 있겠습니다. 혹은 같은 reactance 로는 직병렬회로 연결을 통해서 소거가 가능합니다. 해당 내용은 전기공학의 회로 이론을 보면 참고가 수월할 것이며, 본 게시판에서 impedance matching 에 대한 설명을 참고하시면 도움이 될 것 같습니다.