Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1489

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
307 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1507
306 plasma 형성 관계 [1] 1503
305 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1502
304 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1502
» PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1489
302 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1477
301 charge effect에 대해 [2] 1463
300 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1463
299 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1462
298 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1457
297 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1455
296 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1452
295 알고싶습니다 [1] 1450
294 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1443
293 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1443
292 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1440
291 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1439
290 Ar plasma power/time [1] 1435
289 ICP lower power 와 RF bias [1] 1429
288 MATCHER 발열 문제 [3] 1429
쓰기
태그

Boards

XE Login