Chamber Impedance ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의

2011.09.30 16:01

kailo 조회 수:24654

안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

최근 저희가 개발하고 있는 플라즈마 소스가 이상한 특성을 보여서 문의드립니다.

 

저희가 개발하고 있는 Source는 원통형 ICP Plasma Source인데 Load Impedance 값을 살펴보면,

 

Power가 증가함에 따라서 실저항 값이 높아지고 (3옴@100W ~ 40옴@5000W)

 

복소수 값은 파워가 증가함에 따라서 감소하고 파워가 감소하면 증가됩니다.

 

그리고 몇몇 논문에서 보면 Power가 증가함에 따라서 위상차가 서서히 증가하는데

 

저희는 위상차가 서서히 감소됩니다.

 

이것을 어떻게 해석해야 할지 모르겠습니다.

 

제 생각에는 파워가 증가하면 실저항 성분이 감소하고 리액턴스 성분이 증가할것 같은데...... .

 

위 현상을 어떻게 해석해야 하는지와 보통 플라즈마 소스가 올바르게 동작하는 경우가 어떤지와 왜 이런 차이가 있는지가 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다. 

 

 

 

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