안녕하세요.

반도체 장비 회사에서 근무하는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 현재 평가중인 공정이 2000W 이상의 높은 RF power를 인가하고 있습니다.
RF power가 켜지기 전 까지는 일정한 온도로 유지 하고 있다가 RF power가 켜지면
높은 power로 인해 열이 많이 발생하여 Plasma 초기에 10도 정도의 온도가 상승하는 문제가 있습니다.


온도 조절 장치가 있어서 60초 정도에는 원하는 온도로 제어가 되지만 RF power가 켜지는 시간의 1/8 수준이라 전체적인 막질에 적지않은 영향을 줄 것으로 예상 됩니다.

 

물론 온도 제어 방식을 바꿔서 더 빠른 시간에 온도를 맞춘다던지 Plasma가 켜지기 전에 온도를 조금 낮게 유지하여 상승하는 온도를 보상하는 방법이 개발되어야 겠지만 공정적으로도 방법을 찾아보려고 합니다.

 

 

방안1) Plasma가 켜진 상태에서 RF power를 점진적으로 상승
방안2) Plasma가 켜진 상태에서 Gas 유량에 변화를 줌
방안3) Plasma가 켜진 상태에서 전극의 거리를 조금씩 움직임

 

 

위와 같은 방안들 중에서 안정적인 Plasma는 유지하되 온도 상승을 줄여보고자 하는데 참고할만한 문헌이나 연구 자료가 있을까요?

너무 도전적인 실험들이라 관련 연구가 전혀 없다고 한다면 이론적으로 저런 시도들이 어떤 의미를 가질 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
232 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1630
231 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1320
230 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1564
229 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 445
228 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8660
227 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1307
226 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 999
225 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1518
224 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 698
223 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1949
222 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1942
221 전자 온도 구하기 [1] file 1098
» 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 313
219 CVD 공정에서의 self bias [1] 3032
218 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
217 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1855
216 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
215 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1688
214 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3224
213 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 223

Boards


XE Login