Ion/Electron Temperature 플라즈마내의 전자 속도
2009.10.16 04:52
플라즈마 장비 내의 bias를 100W 정도 주었을 때, 전자의 속도를 알 수 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] | 75754 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19439 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56665 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68003 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90232 |
107 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1554 |
106 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1503 |
105 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1495 |
104 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1477 |
103 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1460 |
102 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1409 |
101 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1408 |
100 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1405 |
99 | PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] | 1390 |
98 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1389 |
97 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1366 |
96 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1353 |
95 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1351 |
94 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1254 |
93 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1244 |
92 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1215 |
91 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1215 |
90 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1202 |
89 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1179 |
88 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1175 |
- 하지만 전자나 이온은 전기장에서 가속을 받아서 에너지를 높일 수 있습니다. 특히 시편 앞에서, 혹은 전극 앞에 형성되는 쉬스내에서 시편(전극)에 인가된 바이어스 전압에 의해 쉽게 가속되며 이때 운동에너지는 플라즈마 자체가 갖는 전위 (공간전위)에서 바이어스 전압을 뺀값으로 결정되고, 대부분의 바이어스 전압은 음으로 인가되어, 여기서의 전위차는 양의 값을 갖게되며, 대부분 이온의 운동에너지 값이 됩니다.
- 바이어스 전력의 크기에 따라서 바이어스 전압은 비례하나 정확한 값은 장치와 가스종류, 바이어스 인가 주파수 등에 따라 변하는 값이니 시편 전위를 측정하여 위의 관계식을 이용해서 이온이 시편에 입사될 때의 에너지를 결정할 수 있습니다. (여기서 바이어스 전압은 자기전압강하, self bias라 하며 Q/A를 찾아보면 설명되어 있습니다.)