안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20077
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
192 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
191 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
190 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
189 전자 온도 구하기 [1] file 1099
188 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
187 wafer bias [1] 1119
186 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1124
185 자기 거울에 관하여 1130
184 Group Delay 문의드립니다. [1] 1135
183 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1145
182 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1211
181 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
180 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1232
179 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1268
178 플라즈마 기초입니다 [1] 1279
177 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1308
176 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1320
175 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1336
174 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1382
173 플라즈마 관련 교육 [1] 1384

Boards


XE Login