Sheath CVD 공정에서의 self bias

2021.06.13 19:47

박관호 조회 수:3032

안녕하세요 반도체 제조업에서 설비업무 맡고있는 저년차 사원입니다.

 

self bias 현상이 일어나게 되는 메커니즘을 3가지정도 배웠습니다.

1. RF 관점에서 순전류는 0이어야하기 때문에 더 크고 무거운 ion을 끌어오기 위해서 전극의 전위가 낮아지는 효과

2. 전극의 크기 차이로 인한 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

3. blocking capacitor에서의 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

 

실제로 CVD chamber 내 shower head보다 heater의 크기가 작고 blocking capacitor의 존재로 2번, 3번은 납득이 됩니다..

 

사내 semina에서 배우기로는 ETCH 설비와 다르게 CVD 설비는 shower head에 RF가 인가되고 heater쪽이 접지로 연결되어 있다고 했는데..

그렇다면 1번 효과에 의해 heater가 아니라 shower head쪽 전극이 음극역할을 하게 되는건가요???

(http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=81598 에서의 답변 참고했습니다)

 

만약 맞다면, 2번,3번 효과의 경우 heater쪽 전위가 낮아지게 되는걸로 보이는데, 1번에 의한 효과와 서로 경쟁하는건가요????

 

학부출신으로 회사와서 아는건 없고 궁금한건 많은데 얕게 배운 지식으로 업무와 연관지으려 하니 힘이드네요 교수님..

많이 배워가고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
192 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
191 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
190 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
189 전자 온도 구하기 [1] file 1098
188 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
187 wafer bias [1] 1119
186 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1122
185 자기 거울에 관하여 1130
184 Group Delay 문의드립니다. [1] 1134
183 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1145
182 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1209
181 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
180 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1232
179 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1266
178 플라즈마 기초입니다 [1] 1279
177 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1307
176 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1320
175 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1336
174 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1382
173 플라즈마 관련 교육 [1] 1383

Boards


XE Login