안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5837
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17296
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53130
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64523
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85135
125 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4135
124 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4463
123 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4477
122 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 4640
121 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5105
120 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5716
» O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6075
118 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6329
117 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6365
116 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6474
115 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 7355
114 MFP에 대해서.. [1] 7669
113 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 7934
112 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8495
111 핵융합에 대하여 8509
110 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8524
109 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8560
108 안녕하세요 교수님. [1] 8694
107 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 8809
106 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 8926

Boards


XE Login