안녕하세요! 저는 ICP와 CCP 에쳐장비를 이용해서 산화물 반도체 식각 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


기존의 ICP 에처를 이용하였을때에는 기존 페이퍼의 경향대로 bias power 증가시 Etch rate 증가하는 결과를 얻을 수 있었는데요!


CCP 장비를 이용하고 나서는 오히려 Power 증가할 때 Etch rate가 감소하는 현상을 보였습니다.


사용한 가스는 CH4 H2 Ar 혼합가스 이고 Power는 150W , 180W에서 실험을 진행했는데 Etch rate는 반토막이 나서 결과를 이해하는데 어려움을 겪고 있습니다.


Power 증가시 Ion energy 및 dissociation 증가로 radical flux 또한 증가하게 될터이니, 당연히 Etch rate까지 증가하는게 맞다고 생각하는데요,( power 이외의 gas flow rate , temperature, pressure 등의 조건은 모두 동일합니다.)


다만 한가지 의심이 드는건,  ion bombardment + Radical의 Chemical reaction이 진행하는 경우보다 Ion의 sputtering을 진행하는 메커니즘이 dominent해지기 때문일 것이라는 생각이 드는데... 

이부분에 대해서 설명을 부탁드리기 위해 글을 남겼습니다. 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
112 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8660
111 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8903
110 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8953
109 안녕하세요 교수님. [1] 8992
108 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 9195
107 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9509
106 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10370
105 DC bias (Self bias) [3] 11217
104 플라즈마 살균 방식 [2] 11415
103 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12348
102 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12733
101 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13042
100 플라즈마의 상태 14067
99 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14135
98 우주에서의 플라즈마의 성분비 14585
97 우주 플라즈마 14785
96 산업용 플라즈마의 특성 15144
95 우주 플라즈마 15342
94 핵융합반응/플라즈마 15507
93 Plasma potential이.. 음수가 될수 있나요?.. 15606

Boards


XE Login