Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?
2012.02.16 05:21
안녕하세요.
반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.
Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.
배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.
하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.
질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.
Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.
Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,
갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [221] | 75434 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19169 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56480 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67565 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89373 |
| 122 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2489 |
| 121 | 질문있습니다. [1] | 2398 |
| 120 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2334 |
| 119 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2288 |
| 118 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2222 |
| 117 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2168 |
| 116 |
플라즈마볼 제작시
[1]  | 2127 |
| 115 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2102 |
| 114 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 1975 |
| 113 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 1941 |
| 112 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 1918 |
| 111 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 1824 |
| 110 | ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] | 1780 |
| 109 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! | 1778 |
| 108 | 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] | 1766 |
| 107 | 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] | 1693 |
| 106 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1616 |
| 105 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 1587 |
| 104 | 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] | 1553 |
| 103 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 1523 |