================================<질문>=======================================
안녕하세요.. 플라즈마에 대해서 궁금한 점이 있어서 이렇게 글을 올립

니다..

dc glow 방전에서 방전상태가 계속 유지되기 위해서는 전자가 계속적

으로 에너지를 얻어서, ion을 생성해야 하는 것으로 생각이 됩니다..

음극과 양극판이 있다면 그 중간영역(plasma volume)에서는 전기장

이 거의 존재하지 않는 것으로 알고 있습니다..그렇다면 원자를 이온하

시키기위한 전자의 에너지는 어디에서 흡수를 할 수 있나요? 이온과 전

자의 재결합 과정에서 발생하는 빛을 이용하나요?

그리고 rf 방전상태에서는 전자가 어디서 에너지를 얻게 되는 지 궁금합

니다..

답변을 부탁드리겠습니다.. 그럼 수고하십시요..


================================<답변>=======================================
좋은 질문입니다. 본 란에 게재된 플라즈마 방전 혹은 발생 (장치)에 대한 내용을 참고하기
바랍니다.
플라즈마가 형성되어 유지되기 위해서는 전자의 역할이 매우 중요합니다.
전자는 이온에 비해서 쉽게 에너지를 얻어 이온화 과정으로 부터
전자-이온의 쌍을 만들게 됩니다. 재결합 과정 등으로 플라즈마가
손실되는 양과 균형을 이루면서 플라즈마는 형성되어 유지되게 됩니다.
질문은 이때 전자가 어디서 에너지를 얻는가 라는 질문입니다.
전자는 전기장이 있는 곳에서 에너지를 얻습니다. 당연히 bulk plasma 영역에서는
에너지를 쉽게 얻기 힘듧니다. DC 방전의 경우에는 cathode fall 영역
즉 음극판 앞에서 형성되는 쉬스영역에서 전자가 가속되게 됩니다.
특히 입사되는 이온에 의해서 발생된 이차전자등이 이 영역에서
효율적으로 가속을 받습니다. 중요한 것은 전기장의 방향이 음극판을 향함으로 전자는 bilk plasma 영역으로
나가게 되며 진행되는 전자가 이온화 반응등을 경험하게 됩니다.
이렇게 만들어진 플라즈마는 bulk 영역으로 확산되어 퍼지고 이렇게
확산되어 퍼진 영역을 positive column이라는 양광주영역으로 우리가
플라즈마라고 하는 곳입니다.
또한 RF 에서도 전극 주변의 쉬스에서 전자들이 에너지를 받기도 합니다. 이에 덧붙혀서 주기적으로 변하는 전기장의 방향에 따라서 전자들이
주기적으로 움직이게 됩니다. 쉬스로 향하는 전자들은 쉬스 전위가 낮음으로 되돌아 가게 되는데 이때 쉬스전위가 더 낮아지게 되면 되돌아
가는 전자에 에너지를 더 넣어 줄 수 있습니다. 마치 테니스 공을
되받아 치는 효과 혹은 박찬호의 빠른 공이 맞으면 홈런이 잘되는
이유와 같이 전자가 에너지를 얻게 됩니다. 이는 CCP 플라즈마에서
전자가 에너지를 얻는 방법이기도 합니다.
아울러 ICP등의 플라즈마에서는 공간내에 형성되는 전기장, 이는 안테나
등으로 부터 만들어지거나 외부에서 wave의 형태로 입사된 전기장을
받아 가속되는 경우인데 이는 플라즈마 내에서도 가속되는 경우에
해당합니다.  
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92258
113 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1746
112 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
111 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1682
110 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1675
109 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1605
108 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1561
107 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
106 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
105 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1463
104 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1444
103 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1441
102 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1422
101 플라즈마 관련 교육 [1] 1404
100 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1387
99 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1347
98 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1343
97 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1330
96 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1286
95 플라즈마 기초입니다 [1] 1281
94 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1238

Boards


XE Login