Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭

2020.05.15 23:53

유재민 조회 수:2346

안녕하세요 교수님

현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.

FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고

Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.

1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?

2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
115 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
114 플라즈마 챔버 [2] 1208
113 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1662
112 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1292
111 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1332
110 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] 792
109 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1451
108 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16645
107 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2289
106 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
105 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] update 4365
104 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3617
103 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 425
» RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2346
101 remote plasma 데미지 질문 [1] 14428
100 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1889
99 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1194
98 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1144
97 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2177
96 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 17636

Boards


XE Login