안녕하세요. Plasma를 이용한 etch를 공부하고 있는 학부연구생입니다.

현재 ICP를 공부하고 있고 특히 유도전류로 플라즈마 형성 후 bias에 의해서 wafer에 입사되는 과정에 대해서 궁금증이 있어서 질문드립니다.

ICP방식은 플라즈마를 유도하는 RFsource와 생성 후 이를 wafer 쪽으로 직진할수 있도록 만들어 주는 RF bias가 있는 것으로 알고 있습니다.

1.Bias가 plasma를 잡아 당겨 wafer쪽으로 이끄는 것이 목표라면 왜 굳이 DC를 쓰지 않고 AC를 사용하는지 궁금합니다.

DC를 사용하면 오히려 더 강하게 잡아당길 수 있을 것 같은데 이렇게 사용하지 않는 이유는 극성이 고정되면 하부 esc방향으로

전하들이 쌓여서 chamber의 life를 갉아먹어서 그런것인가 궁금합니다.

2.단순히 RF power를 주는 것이 아니라 pulsing을 해서 인가하는 것을 알고 있는데

이는 step을 나눠서 etch -> purge순으로 진행하여 HAR 구조에서 by-product가 쌓이는 것을 방지하여 Loading effect를 완화하는

목적으로 사용되는 것인지 궁금합니다.

3.최근에 pulsing을 할 때 ac pulsing을 하는것이 아니라 DC pulsing을 하는 방향으로 가고 있다고 알고있는데

혹시 이는 ac대신에 단순히 dc를 인가하여 직진성을 높이는 것이 목적인지 각각의 장단점이 궁금합니다.

4.3번 질문에 이어서 그러면 DC로 pulisng을 한다면 이온 에너지의 분포 IED가 달라져서 sheath 모양에도 영향을 주는지 알고 싶습니다.

DC pulisng시에 ion energy 분포가 어떻게 될지가 궁금합니다.

5.마지막으로 blocking capacitor가 없으면 self-bias가 발생하지 않는지 궁금합니다.

극판의 크기를 달리하면 없어도 발생할 것 같은데 확실하지 않아서 말씀드립니다.

한상 좋은글 올려주셔서 감사합니다.

공부에 도움이 되어 많은 도움받고 있습니다.

감사합니다.