안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하는 엔지니어 입니다.


최근에 plasma system에 대하여 연구하고 있는데, 비전공자로서는 이해가 다소 어려운 부분이 있어 도움 요청드리고자 합니다.


현상은 ICP plasma system에서 평소에는 O2를 flow하면서 plasma를 ignition합니다.

하지만, gas line purge 등과 같은 이유로 Ar을 flow하게 되면 plasma가 죽어버립니다. 이를 단순하게 해결하기 위해서 O2의 flow만 2배로 늘려주면 다시 ignition되어 사용이 가능하지만, 그 원인을 알고싶습니다.

(Ar이 flow되는 순간에도 plasma는 죽으면 안됩니다.)


제가 짧게 이해한 바로는 plasma가 ignition되는 condition이 다르고, 현재 되어 있는 값은 O2를 ignition하는 조건이므로, Ar이 유입됨에 따라 O2의 농도가 감소하여 플라즈마 형성이 되지 않았고, O2의 유량을 늘려 단위면적당 O2의 농도를 높여줌으로써 단편적으로 해결된 것으로 보입니다.


제가 이해하고 있는 부분이 맞는지와 O2 유량 증가 말고 개선할 수 있는 아이디어가 있으시면 답변으로 부탁드리겠습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
115 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
114 anode sheath 질문드립니다. [1] 961
113 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 967
112 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 973
111 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1026
110 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1040
109 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1044
108 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1114
107 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1120
106 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1122
105 공정플라즈마 [1] 1136
104 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1144
103 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1176
102 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1194
101 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1205
100 플라즈마 챔버 [2] 1208
99 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1267
98 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1292
97 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1322
96 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1332

Boards


XE Login