Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭

2020.05.15 23:53

유재민 조회 수:2345

안녕하세요 교수님

현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.

FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고

Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.

1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?

2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
95 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4360
94 RPSC 관련 질문입니다. [2] 3968
93 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3615
92 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3498
91 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3379
90 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3314
89 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2674
88 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2666
87 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
86 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
» RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2345
84 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2285
83 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2277
82 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2252
81 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2250
80 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2176
79 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1943
78 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1920
77 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1902
76 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1889

Boards


XE Login