Plasma Source H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련
2020.06.09 18:30
안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.
전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.
조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)
현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm) Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오 면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)
질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만
왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
155 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95472 |
154 | Plasma source type | 79618 |
153 | Silent Discharge | 64555 |
152 | 대기압 플라즈마 | 40676 |
151 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 31944 |
150 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 | 28892 |
149 | DBD란 | 27693 |
148 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24979 |
147 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24508 |
146 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24295 |
145 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24259 |
144 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23371 |
143 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23254 |
142 | No. of antenna coil turns for ICP | 23079 |
141 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23038 |
140 | CCP/ICP , E/H mode | 22922 |
139 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22112 |
138 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21723 |
137 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21536 |
136 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21510 |
ICP H field 측정 관련 Hopwood 1993 (JVST A11, 152)를 참고해 보세요. H field는 1/.r 로 감소하므로 거리가 멀어지면 줄고, 유도기전력
E-theta 크기도 감소하게 됩니다. 대략 skin depth 내에서 에너지 전달하므로 안테나 근방에서 대부분의 플라즈마가 형성되고, 플라즈마는 확산하여 생성부 근방 (안테나 근방)에서는 센터 peak 형태, 아래로 내려오면서 점차 peak는 완만해 질 수 있습니다. 가열 공간에서 확산이 심한 조건이면 하부에서 플라즈마 분포는 중심부가 줄어드는 쌍봉 형태의 모양을 가질 수 있으므로 시뮬레이션은 크게 문제가 될 것 같지 않습니다.
따라서 전기장 분포와 함께 플라즈마 수송 특성을 안테나 면적/전력/운전압력/전극위치등의 장비 윤전 조건과 구조 조건에 대해 추가 해석이 필요해 보입니다. 아울러 ICP 기전과 관련해서 표준과학연구원(KRISS)에 계시는 이효창박사님께 문의드려 보시면 좋은 답변 구하실 수 있겠습니다.