Others O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [Global model]
2017.02.22 22:41
안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다.
실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다.
O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요?
예를 들어서, power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다.
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
플라즈마 물리 모형 관점으로 보기 바랍니다. 플라즈마 생성에서 전력과 압력에 대한 플라즈마 밀도 와 온도 변화를 예상할 수 있는 모델을 이용합니다. 예측하는 모델을 particle and energy balance를 통한 global model이라고 하며, 대부분의 플라즈마 교재에 설명이 되어 있습니다. 아울러 이들 운전 조건에 따른 플라즈마 인자 조절은 플라즈마 제어에 해당하겠으며, 비교적 미세한 변동의 제어도 이 모델 기반으로 수행할 수 있으며, 이 플라즈마 물리 모형 기반 제어기를 제작할 수 있습니다. 최근 이 주제는 플라즈마 제어라는 주제로 발전하고 있으니 관심을 가질 만 합니다. (물리 모델의 교과서 참고 Lieberman's Priciples of plasma discharges and material processing, 2nd ed, chapter 10:"particle and energy balance in discharge")