PLASMA에 영향이 있는 ICP챔버의 경우에 대한 Parameter 해석관련 질문드립니다.

공식으로 알고 있는 이해보다 왜 그런지 쉬운 설명으로 메카니즘 해석 좀 부탁드리겠습니다.

제가 잘못알고 있거나 일부분만 알고 있는 내용일수 있는데 이점 양해 부탁드립니다.

책을 보았으나 혼동되는 부분이 있어 개념을 잡으려고 합니다..


* RF bias POWER는 전자밀도 와 비례 , ion flux 와 비례하는걸로 알고 있습니다.

1. electron density 와 비례한다면 ,,, ion density는 영향이 없는건가요?

2. 전자밀도가 높으면 쉬쓰 두께는 왜 줄어드나요?  

    충돌확률이 왜 전자밀도와 반비례인가요?  밀도가 높은데 충돌확률이 왜 떨어지는지 잘 모르겠습니다..

3. debye length 인/척력이 이온이나 전자의 가속과 관련이 있는건가요..?   

   입자의 속도는 밀도와 온도에만 관련있다고 알고 있는데 인/척력이 나오니 좀 헤깔리네요;;

4. ICP type에서 RF source power는 bias power 와 ion이나 전자 거동이 어떻게 다른지 궁금합니다.

    사실 제가 RF(source power 상단부) Reflect power 부분이 관심이 많습니다..

-  Bias voltages depend on gas  :  √Te/Kiz(Te) ~ d


  -  ω↑      n      sheath 두께 δsh      플라즈마 size d      전자온도 Te
     
  충돌확률 νm     Diffusion D      more symmetric      Vdc-bias      Vdc-sh


  -  δsh ∝ ω-1   ,    d (plasma width) = characteristic length - sheath width


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77902
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20780
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57697
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69198
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93549
82 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1076
81 질문있습니다. [1] 2618
80 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 781
79 Group Delay 문의드립니다. [1] 1181
78 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4117
77 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 445
76 플라즈마 충격파 질문 [1] 832
75 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 993
74 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 410
73 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3636
72 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 848
71 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 734
70 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1589
69 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 355
68 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1371
67 RF frequency와 RF power 구분 39143
66 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 495
» RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5301
64 문의 드립니다. [1] 893
63 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1463

Boards


XE Login