안녕하십니까 교수님. 반도체 장비회사에서 공정개발 직무를 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 플라즈마 식각기술 책을 읽는 와중에 궁금한 점이 생겨 이렇게 질문을 남깁니다.

 

책에서 접지된 전극에 기판을 놓을 경우 Radical에 의한 반응이 반응성 이온의 영향보다 크게 되고,

고주파 전극에 기판을 놓게 되면 반대로 되어 이방성이 커진다고 하는데 

 

집지된 전극에 기판을 놓을 경우 왜 Radical 반응이 주가 되는 건가요?

접지라는 것이 이 구조에서 어떻게 영향을 끼치는 것인지 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다

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