CCP CCP/ICP , E/H mode

2004.06.19 16:05

관리자 조회 수:20710 추천:332

전극이 반응기 내외부에 있는 여부로 ICP/CCP 플라즈마를 구별하지 않습니다. 일반적으로 Capacitively coupled plasma 는 전극사이에 형성되는 전기장에 의해 전자 가속이 일어나 에너지를 얻어 이온화에 의해 만들어진 플라즈마를 의미하며 Inductively coupled plasma는 말 그대로 안테나에 흐르는 전류에서 형성된 자기장이 시간에 따라서 변할 때 자기장 주변으로 형성되는 전기장으로부터 전자가 가속 에너지를 얻고 이온화를 통해 만들어진 플라즈마를 의미하는 말로써 이해하여야 합니다. 물론 일반적인 ICP 반응기에서 CCP 현상에 의한 플라즈마 발생이 일어나기도 하며 이를 E mode 플라즈마에서의 ICP 현상에 의해 만들어진 플라즈마를 H mode 플라즈마라 구분하기도 합니다. 약간의 혼돈은 여기서 생길 수 있습니다만 두 현상을 구분해서 이해하는 것이 좋습니다.

잘 알고 계시시겠지만 ICP 의 플라즈마 발생 mechanism 에는 E/H mode 가 있습니다. 이중 E mode는 안테나에 인가되는 전압에 의해서 안테나 면과 수직 방향에 형성되는 전기장에 의해 전자 가속이 일어나고 (에너지를 전달하고) 이로써 플라즈마가 형성되는 과정을 의미하며 H mode는  안테나에 흐르는 시간에 따른 전류 변화에 의해서 공간 내에 형성되는 자기장으로부터 유도되는 전기장으로부터 전자가 에너지를 받아 플라즈마를 발생하는 방식을 의미합니다. 따라서 H mode에서 유도되는 전기장은 theta 방향으로 원주 방향의 성분을 갖게 됩니다. 일반적으로 ICP 플라즈마는 E mode 에 의해서 플라즈마가 발생되고 H mode 로 변환하면서 고 밀도 플라즈마를 발생하게 된다고 알려져 있습니다. 따라서 ICP 플라즈마는 고 밀도 플라즈마를 만들지만 여기에는 E/H mode 성분의 플라즈마가 혼재 되어 있습니다.

ICP에서 안테나와 플라즈마는 유전물질, 일반적으로 quartz에 의해서 격리되어 있는데, 발생되는 플라즈마는 안테나 근처 즉 quartz의 표면에 가속된 이온이 quartz와 충돌하게 되고 quartz에 식각현상이 심하게 나타납니다. 이러한 문제와 E mode 에 의한 플라즈마 fluctuation을 제어하기 위해서 E mode를 감쇄 하려는 노력을 faraday shield(F/S)를 통하여 합니다. 하지만 trade-off가 있는데 F/S를 하게되면 그만큼 입력 에너지 손실이 일어나고 이는 E mode 에 의한 플라즈마 발생 영역이 줄어들게 됨을 의미하여 전반적으로 플라즈마 밀도는 낮아지게 됩니다. 따라서 이를 보정 하기 위해서는 입력전력이 더 커질 수밖에 없게 되겠지요. 또 하나 유의해야할 사항은 F/S의 사용에 의해서 plasma uniformity 가 바뀔 수 있으니 이점 또한 깊이 고려하여야 할 것입니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1193
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 932
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49374
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59476
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74173
19 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 22865
18 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 22347
» CCP/ICP , E/H mode 20710
16 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] 18704
15 capacitively/inductively coupled plasma 17317
14 CCP 의 electrode 재질 혼동 16070
13 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 7136
12 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 6694
11 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [2] 1468
10 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 1064
9 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1034
8 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 567
7 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 445
6 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 416
5 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 268
4 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 220
3 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 203
2 라디컬의 재결합 방지 [1] 203
1 anode sheath 질문드립니다. [1] 199

Boards


XE Login