안녕하세요. 교수님.

일전에 ICP에서 발생되는 self bias로 쿼츠가 식각될 수 있는지에 대해 문의드렸습니다.

그 때의 답변 감사드립니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 그때와 이어지는 내용인데요.

저희의 실험(다층박막) 중 SiO2가 아닌 다른 물질을 증착 중 식각된 쿼츠에서 SiO2가 기판으로 날아와 일부 증착되는 것으로 예상이 됩니다.

그래서 여러가지 특성에 일부 영향을 주는데

쿼츠 쪽에서 발생되는 시각을 줄이기 위해 self bias를 줄일 방안을 생각해보았습니다.

그 중에 ICP영역(코일 전면부)에 영향을 주지 않는 선에서 anode를 장착하여 self bias를 만드는 전자들을 빼내어주는 방안을 생각해보았는데

이 경우 플라즈마 형성에는 문제가 없는지와 이 방법으로 정말 self bias를 줄여 식각현상을 줄이거나 없앨 수 있는지가 궁금합니다.

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