질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:94413 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79251
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21266
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58067
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69624
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94413
21 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 236
20 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 265
19 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해] [1] 202
18 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [Remote plasma 이해] [1] 1092
17 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [플라즈마 이온화 및 해리 반응, 반응기 벽면 세정] [1] 578
16 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable] [1] 1438
15 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [Plasma cleaning] [1] file 1352
14 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [Pachen's law와 Ar Gas] [1] 1445
13 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2548
12 remote plasma 데미지 질문 [DC glow discharge와 Breakdown] [1] 14607
11 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [라디컬 측정 방법 및 세정 기술] [2] 2233
10 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1103
9 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [반응기 내벽 변동 및 벽면 불화 정도 판단] [1] 829
8 Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion] [1] 2133
7 RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage] [2] 4248
6 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [플라즈마의 유지와 쉬스] [1] 10501
5 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24577
4 surface wave plasma에 대해서 [Microwave와 electron temperature] [1] 18613
3 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25062
2 RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] 96691

Boards


XE Login