OES ISD OES파형 관련하여 질문드립니다.

2023.04.11 22:52

에칭에칭엔지니어 조회 수:435

안녕하세요. Etch 공정엔지니어 입니다.

 

최근 SiC ring을 사용하는 장비에서 edge 부분에 몰림성 deffect이 떠서 장비적으로, 공정적으로 개선 중입니다.

 

그 중 ISD관령하여 질문이 있습니다

 

OES 파형 기반으로 RCP를 만드는 중인데 대략적인 RCP는 O2 Plasma > Nf3 plasma > O2 plasma입니다.

 

OES파형에서 보면

첫번째 O2 BURN에서 carbon polymer, Si polymer가 줄어드는 것을 관찰 할 수 있는데요.

 

두번째 NF3 Plasma를 키면 잔여 si ploymer가 점차 줄어들며 파형의 세기가 saturation 되는 것을 볼 수 있었습니다. 그런데 Carbon polymer가 etch 되면서 나오는 파형 중 하나인 CF, Cf2는 우 상향으로 byproduct가 줄어드는 모양이 아니더라구요. 혹시 SiC ring의 식각으로 인해 cf파형이 늘어날 수도 있을ㅋ가요?

 

추가로 CN 파형은 줄어들더라구요..CF파형이 양의 기울기로 늘어난다는게 part 중 하나가 식각되는게 아니면 이해가 가질 않습니다

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68693
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92268
» ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 435
42 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 586
41 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 714
40 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 755
39 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 603
38 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1363
37 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 703
36 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3321
35 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1372
34 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1642
33 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1348
32 Wafer particle 성분 분석 [1] 2319
31 charge effect에 대해 [2] 1465
30 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1454
29 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1063
28 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1315
27 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26113
26 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1015
25 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2870
24 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1319
쓰기
태그

Boards

XE Login