안녕하세요

반도체 설비 제조 업체 연구소에 근무 하는 하태경 이라고 합니다.

Plasma 진단 에 관련한 질문 있어 글을 씁니다.


저희 회사는 remote plasma를 사용하는 반도체 ashing 설비를 생산 하고 있습니다.

Plasma source는 ICP type 입니다. matcher에 VI sensor가 장착 되여 있습니다. matcher와 source 사이에 VI sensor가 위치합니다.

plasma source - baffle - process chamber 구조로 source에서 생성되는 radical의 down stream 으로 ashing를 진행 합니다.

chuck은 히팅외에는 다른 역할를 하지 않습니다.


여기서 질문은 VI sensor를 활용하여 어떠한 진단을 할 수 있는지가 궁금합니다.

현재 monitroing 해본 것으로는, end point를 보려 했지만 값이 변화하지 않습니다.. 케미스트리 변화에는 값이 변화 합니다.

VI sensor로 진단 가능한 부분이나 사례등이 있으시면 무엇이라도 좋습니다 답변 부탁 드립니다.

예로 PM 주기 monitoring 등도 좋은 아이템이 될것 같습니다.

감사합니다


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [101] 3658
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15347
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50578
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62999
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82153
38 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 339
37 활성이온 측정 방법 [1] 420
36 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 631
35 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 723
34 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 749
33 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 785
32 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 791
31 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 828
30 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 883
29 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 887
28 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 902
27 charge effect에 대해 [2] 1134
26 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1195
25 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1355
24 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1512
23 Wafer particle 성분 분석 [1] 1891
» VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 1939
21 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 2938
20 자료 요청드립니다. [1] 5978
19 RGA에 대해서 10162

Boards


XE Login