안녕하십니까, 플라즈마 관련하여 공부하고 있으며 디스플레이 업체에 근무하고있습니다.

몇 가지 궁금증이 있어서 글을 남기게 되었습니다.

OES의 경우 Plasma 정성적 특성을 계측하기 위하여 주로 사용된다고 알고 있습니다. 실제로 Gas 트랜드 및 Chamber 분위기 등의 변화를 

계측할때 사용하고 있습니다.

그런데, OES를 가지고 정량적 측정을 한다는 이야기를 들어서 여쭤보려합니다.

(RGA를 이용한 방법은 몇 가지 논문을 확인하였으나, OES는 생소합니다.)

1. 정량적 측정을 하는 방식이 궁금합니다. (혹시 추천해줄 논문 or 자료가 있으시면 읽어보겠습니다.)

2. 현재 OES를 사용하여, Chamber 내 H(수소) 함량을 알려고 하는데 가능한지 여쭤보려합니다. (Ar 가스 or N2 가스가 아닙니다.)

3. 만약 가능하다면, 참고 할만한 자료가 있으면 추천 부탁드립니다.

*PECVD Deposition 공정에서 OES를 통한 H(수소) 함량에 따른 Wafer 막질의 변화를 확인하기 위하여 진행하려합니다.

여러가지 다양한 질문과 답변을 통하여 자료를 찾는데 많은 도움을 받고 있습니다.

감사합니다.