안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하면서 생긴 궁금증으로 인해 질문드립니다.
아래 첨부된 그림파일과 같은 회로에서 임피던스 매칭 회로의 구동원리는 어떻게 되는지요?
임피던스 매처에서 만약 X<0인 capacitive 인 경우 , X>0인 inductive인 경우 각각 임피던스 매칭회로의 변화는 어떻게 되는지 궁금합니다.
항상 감사드립니다.
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임피던스 매칭회로
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RF 전원을 안테나 (ICP) 혹은 전극 (CCP/RF bias)에 인가시키기 위해서는 reactance term을 소거하여야 전원으로 부터 전달되는 전자기파를 온전히 안테나 및 전극으로 보낼 수가 있고, 이를 impedance matching이라 합니다. 소거 방법은 reactance의 위상차를 이용하는 방법으로 inductive reactance 와 capative reactace 간의 180도 위상차를 활용하면 상호 직렬연결시키면 소거를 시킬 수가 있겠습니다. 혹은 같은 reactance 로는 직병렬회로 연결을 통해서 소거가 가능합니다. 해당 내용은 전기공학의 회로 이론을 보면 참고가 수월할 것이며, 본 게시판에서 impedance matching 에 대한 설명을 참고하시면 도움이 될 것 같습니다.