Matcher 매칭시 Shunt와 Series 값
2021.05.17 15:38
안녕하세요. 반도체 장비 기업에 다니고 있는 엔지니어 입니다.
다름이 아니라 CCP 방식을 쓰는 장비를 운용하기 위해서 매칭을 하는데,
매칭을 잘? 혹은 효율적으로 빠르게 하기 위해서 처음에 Shunt, Series 값을 지정해 주고 있습니다.
그렇게 하래서 하고는 있는데 이 값들이 매칭에 어떤 영향을 끼치게 되는 것인지 궁금합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20183 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
| 102 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 815 |
| 101 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 839 |
| 100 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 844 |
| 99 | Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] | 882 |
| 98 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 959 |
| 97 | 고진공 만드는방법. [1] | 1008 |
| 96 | RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] | 1008 |
| 95 | Plasma Arching [1] | 1051 |
| 94 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1113 |
| 93 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
| 92 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1223 |
| 91 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1270 |
| 90 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1]  | 1324 |
| 89 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1417 |
| 88 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1429 |
| 87 | 알고싶습니다 [1] | 1457 |
| 86 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1459 |
| 85 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1459 |
| 84 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1463 |
| 83 | IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] | 1514 |
질문 감사합니다. Set 값을 사용하는 것은 matching 속도를 높이기 위함이며, 이 값은 공정 장치 및 공정 조건 (공정 타킷)에 따라서 최적값을 찾아 쓰게 됩니다. 엔지니어에게 중요한 것은 이 값을 어떻게 찾았고, 찾은 값의 의미가 뭔지? 그래야 후속 및 신공정 개발을 수월히 수행하실 수 있으실 것입니다. RF 전력이 매칭을 하는 이유는 RF 전원 전력을 플라즈마 생성에 효과적으로 전달하기 위함인데, 플라즈마는 생성과 확산 및 안정화까지의 동특성을 갖지며, 플라즈마 내의 전자와 이온이 RF 에 대해서 서로 다른 전기적 거동을 함으로써 플라즈마 임피던스가 다이나믹하게 바뀝니다. 따라서 matcher는 전력이 인가되는 순간부터 변하고 있는 load 에 대응하는 능력, 즉 빠르게 대응을 할 수록 플라즈마 생성으로 안정적인 RF가 공급되게 됩니다. 따라서 그 추적 범위를 좁히면 보다 짧은 시간에 안정적인 플라즈마를 형성시킬 수가 있겠습니다. 이 생각을 가지시고, 본 게시판에 여러번 진행된 매처 설명과 Load/tune 계산 등에 대해서 살펴 보시기 바랍니다. ICP 장치와의 matcher의 전기 부품이 다름을 확인도 해 보시고, 사용하시는 matcher 의 정보에 대해서도 제공한 회사에서 상세한 스펙 및 부품의 스펙 등에 대해서도 정보를 갖고 계시면 좋습니다.