ESC CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요
2017.09.21 20:04
반도체 종사하고 직장인 입니다
상기건으로 네이버 백방으로 검색하다가 우연찬게 가입을하고
약 4시간 가량 정말좋은 자료들 시간가는 줄 모르고 보게 되었습니다
저희 회사 UBM Etch 장비가 process 상 변경된 factor 는 없구요
최근 챔버 웨이퍼 RF Chuck 바로 밑에 Al plate 원판을 신규 가공품을 사용했구요
용도는 플라즈마를 가둬두는 용도 정도로 알고있고요
현상이 이전까지는 웨이퍼 바이어스 전압이 -180~-200V 의 컨디션 이였는데
최근 바이어스 전압 형성이 -110~-130v현저히 떨어졌습니다
공정은 CCP 500w ICP400w Ar 45sccm 입니다
현재 문제 focus 를 Al plate 로 보고있는데요
바이어스 전압이 기존대비 떨어질수있는 원인이
웨이퍼와 직접적 contact 되어지는 RF Chuck 의 문제인지
챔버 오염과도 영향성은 있는거 같고요....
순간 컨디션이 변경되어 참 난감한 상황입니다
테스트를 ICP Power 를 낮추어주면 바이어스값은 증가가 되구요
웨이퍼표면의 전자량이 동일조건 기존대비 줄어들수 있는 인자가 궁금합니다
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큰일이군요. 저희는 chuck의 cap을 기준 값으로 생각합니다. 즉, wafer bias는 DC offset 값을 의미하는데, 이는 플라즈마의 전하가 하전(충전)되어서 생기는 값으니, cap의 역할로 이해를 하고 있기 때문입니다. 한가지 더 생각할 점은 chuck의 표면에 인가되는 전압에 따라서 충전되는 전하량이 달라집니다. 따라서 문제는 Al plate를 넣기 전과 넣은 후의 chuck의 cap 값이 변하면 충전량이 바뀌게 되며, 기본적인 cap의 성질은 전극간의 간격, 즉 plate 두께, wafer 간의 간격 (미세 간격 포함)과 가공 표면 상태 즉 접촉면(접촉 저항을 고려합니다)등에 대해서 기존과의 차이를 찾아 보시고, Al 재료(분순물 포함 정도) 등도 함께 고려해 보시기 바랍니다. 혹시 재조립을 해도 같은 값이 나오면 현재 셋팅이 인정하고 레시피를 잡아서 운전하는 것이 방법이 될 것 같습니다. .