안녕하세여

ETCH 공정 관련된 일을 하고 있습니다

임피던스 매칭에 대하여 공부를 하고 있는데

제너레이터의 임피던스와 챔버의 임피던스를 매칭 시켜 REFLECT POWER 가 발생하지 않도록 하는데

임피던스에는 실수부와 저항부가 있다고 알고 있습니다.

통상적으로 PLASMA 에서 사용하는 저항은 50 옴인데 제너레이터의 저항이 50옴 이라는 것인가요??

제너레이터의 저항도 임피던스라면 허수부가 존재할 것이라고 생각해서 50옴 + 허수부 저항도 있진 않을지 궁금합니다. 아니면 제너레이터의 저항은 coxial cable 의 저항만을 의미하는 것일까요?? 

또, 챔버에서 저항은 매쳐와 하나가 되어 변화될텐데 매쳐가 실수부 또한 변경 가능한지 궁금합니다.

챔버 내의 PARTS가 식각이 된다면 챔버의 R 값은 변화할텐데 매쳐의 TUNE, CAP 은 허수부의 REACTANCE 값만

변화시킨다고 알고 있습니다. 매쳐가 실수부 R 의 값을 변화시키지 못한다면 아무리 매쳐가 일을 한다하더라도 

챔버 내 PARTS들의 식각에 의해 임피던스가 틀어지고, REFLECT 가 뜨진 않을지 궁금합니다.

스미스차트상 capacitance 혹은 inducrance 를 변경하면 실수부도 변화가 되는 거 같아 보이는데

실수부도 같이 변화가 되는 걸까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77757
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20729
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57648
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69148
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93411
87 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1496
86 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1503
85 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1504
84 알고싶습니다 [1] 1506
83 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1616
82 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1637
81 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1654
80 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1745
79 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1906
78 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1949
77 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1986
76 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1998
75 chamber impedance [1] 2050
74 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2235
73 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2316
72 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2427
71 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2431
» 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2444
69 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2499
68 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2505

Boards


XE Login