안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

최근 저희가 개발하고 있는 플라즈마 소스가 이상한 특성을 보여서 문의드립니다.

 

저희가 개발하고 있는 Source는 원통형 ICP Plasma Source인데 Load Impedance 값을 살펴보면,

 

Power가 증가함에 따라서 실저항 값이 높아지고 (3@100W ~ 40옴@5000W)

 

복소수 값은 파워가 증가함에 따라서 감소하고 파워가 감소하면 증가됩니다.

 

그리고 몇몇 논문에서 보면 Power가 증가함에 따라서 위상차가 서서히 증가하는데

 

저희는 위상차가 서서히 감소됩니다.

 

이것을 어떻게 해석해야 할지 모르겠습니다.

 

제 생각에는 파워가 증가하면 실저항 성분이 감소하고 리액턴스 성분이 증가할것 같은데...... .

 

위 현상을 어떻게 해석해야 하는지와 보통 플라즈마 소스가 올바르게 동작하는 경우가 어떤지와 왜 이런 차이가 있는지가 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다. 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1201
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 954
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49376
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59493
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74202
98 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] 42608
97 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 39419
96 Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) 34152
95 Ground에 대하여 31153
94 matching box에 관한 질문 [1] 28789
93 esc란? 26794
92 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 26730
91 Arcing [1] 26582
90 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [1] 26258
89 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 25612
88 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25255
87 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 24724
86 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24398
» ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24173
84 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24153
83 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 23722
82 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 22944
81 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22584
80 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22254
79 Peak RF Voltage의 의미 21952

Boards


XE Login