ESC HE LEAK 과 접촉저항사이 관계

2024.05.27 14:24

매쳐 조회 수:156

안녕하세요 교수님
우선 늘 감사드립니다.
본 게시판을 통해 배운 내용을 통해 개선에 큰 도움이 되었습니다.

 

이번에 질문드리고자 하는내용은 'HE LEAK 에 의해 접촉저항이 어떻게 변할지' 입니다. 

 

ICP TYPE의 설비에서 HE LEAK이 발생하면 temp 상승이 일어나고, 항상 ESC current 가 상승하는 방향으로 변화합니다.(절댓값 상승 후 일정하게 유지) Chucking voltage 는 일정하게 유지되고 있으므로 Current 변화는 접촉저항과 관계가 있어 보이는데, 

여기서 이해가 안가는 부분은 He leak 이 있다면 왜 접촉저항이 낮아지는지 물리적으로 이해가 되지 않습니다.

접촉면적이 늘어난다는 것 일텐데, chucking force 가 강해지는 것 일까요? 

의견 여쭙습니다.

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [298] 77498
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20584
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57517
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69033
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93150
» HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 156
23 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 506
22 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 788
21 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 958
20 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1486
19 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1631
18 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1896
17 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2217
16 Si Wafer Broken [2] 2603
15 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2891
14 ESC Cooling gas 관련 [1] 3619
13 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3688
12 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4418
11 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5686
10 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6527
9 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7699
8 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 9012
7 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14987
6 ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. file 16991
5 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19858

Boards


XE Login