Etch GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문

2023.07.13 17:52

PumpMan 조회 수:550

최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79257
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21270
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58068
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69626
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94420
193 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] 43795
192 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] 35070
191 PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] 32737
190 RF에 대하여... 32313
189 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31766
188 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 31751
187 [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] 31319
186 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30272
185 PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] 29905
184 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29220
183 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24992
182 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 24825
181 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24292
180 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24003
179 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 23902
178 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 22941
177 Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술] [1] 22629
176 질문있습니다 교수님 [Deposition] [1] 22499
175 플라즈마 코팅 관하여 [PECVD와 화학물 코팅] 22155
174 펄스바이어스 스퍼터링 답변 22013
쓰기
태그

Boards

XE Login