안녕하세요. 반도체 회사에 근무 중인 김동조입니다.

소자제작 공정중 O2 플라즈마를 이용하여 표면을 처리하는 부분이 있습니다.

공정 조건은 300w, 300sccm 0.04mbar 이며 친수성을 위한 표면 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 사항은 일반 상온에서의 표면의 플라즈마 효과가 어느정도 지속이 되는 것인가와,

플라즈마 처리를 한 상태에서 오븐에서 120도 12시간 열처리를 하였을 경우 플라즈마의 효과가 유효한 것인지 궁금합니다.

플라즈마에 관한건 이론적으로만 간단히 알고있었을뿐 회사에 들어오고 처음 사용해 보는 것이라 감이 잘 잡히지 않습니다.

번거로우시겠지만 답변 부탁드립니다.!! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [298] 77496
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20582
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57515
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69029
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93148
129 고온 플라즈마 관련 8092
128 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8090
127 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7720
126 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6972
125 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6578
124 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6512
» O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6506
122 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6374
121 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6157
120 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6073
119 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5554
118 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5541
117 플라즈마 색 관찰 [1] 4402
116 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4380
115 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4196
114 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4097
113 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4003
112 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3891
111 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3737
110 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3656

Boards


XE Login