질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:96732 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [318] 83460
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22109
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58866
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70525
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96732
193 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 178
192 ICP dry etch 시 공정 문의 사항. [1] 356
191 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 258
190 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 303
189 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 238
188 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 156
187 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 166
186 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 255
185 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4348
184 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 205
183 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 232
182 플라즈마 식각 커스핑 식각량 103
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 303
180 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 199
179 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 370
178 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 410
177 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 308
176 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 284
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 368
174 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 387

Boards


XE Login