안녕하세요.

PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안

처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.

그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.

보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.

혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?

그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?

이 두 부분이 궁금합니다.

생뚱맞는 질문일수도 있지만,

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
102 터보펌프 에러관련 [1] 1737
» 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1351
100 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
99 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287
98 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 469
97 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
95 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
94 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 835
93 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
92 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5417
91 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
90 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
88 플라즈마 색 관찰 [1] 4191
87 PR wafer seasoning [1] 2694
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1770
85 ICP 후 변색 질문 722
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423

Boards


XE Login