안녕하세요. 반도체회사 CVD 설비 담당 엔지니어입니다.

CVD설비 관리, 특히 RF계통 FDC 지수관리 관점에서 질문을 드리고자 합니다~


질문1)

chamber의 plasma 정보를 모니터링하고자 chamber와 matcher사이에 V,I,Phase를 검출하는 sensor를 사용중입니다.

보통 Voltage와 Current가 높아서 설비DOWN이 발생하는 경우에 V*I*Cos(Phase)를 계산해보면

하단표와 같이 V와 I는 높지만 Phase에 의해 결국 Delivery Power는 거의 동일합니다

 

 SLOT

 Voltage

 Current

Phase

Cos(Rad(Phase) 

Delivery Power 

 voltage high Down slot

100

  (높아서down) 

10 

  -79.7   

0.178802215 

178.8022151 

 정상 slot

 70

 9

-73.5

 0.284015345

178.9296672

   ( ↑ 임의의 수치들 )

 ≫ 제 생각에는 V,I 값는 높아도 결국 chamber로 전달되는 delivery power가 같다면 RF/CVD 품질에는 이상이 없을것으로

 추측되는데 해당 내용이 맞는건가요?? 아니면 V,I 수치가 달라지면 delivery power가 동일해도 CVD품질에 이상이 있을 수 있나요?


≫ 위와 같이 이런경우에는 V,I가 높지만 Phase는 낮아서 Delivery power는 동일한 값이 되는데,

  이는 voltage와 current가 높아졌지만 일정한 Power를 전달하기 위해 phase(reactance)를 변화하려 series(tune) capacitor가

  동작하는 것인가요??

  (series cap이 Impedance matching을 위해 chambe내 허수 임피던스 성분인 reactance를 제거하고

  이는 V,I간의 phase를 줄이는것과 동치라고 알고있습니다.)  




질문2)

Voltage가 높은값으로 설비 down을 유발하는 slot의 RF관련 타 파라미터를 모니터링 시 대체적으로

ⓛ voltage ↑

② current

③ Phase angle ↓

④ Resistance ↓

⑤ Shunt, Series ↑

이러한 양상을 보이고 있습니다.

RF Rrocess를 진행하면서 해당 현상의 전후관계 및 작용 순서를 알고 싶습니다.


예를들어

1. deposition 진행에 따른 Chamber의 오염발생

2. Chamber內 Resistance 감소 (chamber의 오염과 resistance 감소의 상관관계가 있나요..?)

3. Resistance 감소로 인한 voltage, current 상승

4. Resistance 값을 50Ω으로 맞추기 위해 shunt 상승

5. V,I가 상승했지만 Delivery power를 유지하기 위해 Phase변화 (Series 상승)

 ≫ 위에 적은것은 그냥 제가 추측한 내용이고

  RF를 진행하면서 위에 적은것처럼 RF소자들의 작용과 흐름을 알고 싶습니다..!



바쁘시겠지만 확인 후 답변부탁드립니다.

교수님 좋은 하루 되세요! ^^

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5808
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17215
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53068
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64485
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85100
134 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 627
133 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 504
132 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1335
131 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1369
130 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 527
129 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 296
128 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 670
127 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 861
126 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 512
125 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 489
124 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 723
123 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1277
122 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 640
121 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1520
120 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 936
119 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 798
118 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 924
117 질문있습니다 교수님 [1] 16065
» CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1147
115 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3908

Boards


XE Login