안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [127] 5573
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16855
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64186
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84149
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 30
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 216
150 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 108
149 RF Sputtering Target Issue [1] file 105
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 802
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 148
146 Polymer Temp Etch [1] 140
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 150
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 400
143 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 485
142 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 528
141 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 464
140 doping type에 따른 ER 차이 [1] 319
139 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3056
» Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 506
137 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 638
136 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3510
135 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 665
134 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 540
133 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 472

Boards


XE Login