안녕하세요 저는 반도체회사에서 Dry Etch 공정 엔지니어로 근무중입니다.

 

Etch Profile을 Control하는 방법들을 연구하고있는데, 그 중에 Wafer내 영역별로 Capacitance 성분을 조절하여 Etch Profile을 Control 해보는 방법을 구상 중에 있습니다.

여기서 궁금한게, Capacitance 성분이 높은 영역은 Sheath Energy가 작아져 Etch 효율이 떨어질 것으로 생각했는데 제 생각이 맞을지 아니면 Capacitance 성분이 높아지면 해당 영역은 전하 축적량이 커져 Vdc값이 음의 방향으로 커져서 Sheath Energy가 커지는것이 맞을까요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77777
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20738
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57656
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69157
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93430
191 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [1] update 8
190 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 29
189 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 30
188 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 27
187 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 65
186 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 1479
» Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 123
184 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 141
183 플라즈마 식각 커스핑 식각량 75
182 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 209
181 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 107
180 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 265
179 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 104
178 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 319
177 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 230
176 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 230
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 276
174 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 311
173 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 650
172 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 458

Boards


XE Login